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天竺葵的栽培技术

品种:Marerick,Orbit,Multibloom,Elite,OrangeApeal系列

发芽期

----准备阶段

所有天竺葵品种都可在同一条件下种植。(发芽)

PH值:6.2-6.5PH值低于6.0可导致芽尖脱落和钠、铁、镁(13-2-13-6Ca-3Mg)不能被吸收现象

第1阶段

1-2天内出现胚根。

外观特征:第1阶段来,根长0.64-1.27厘米,出现于叶。

湿度:浸透的基质对天竺葵吸收水份很重要。在种于上覆盖一层蛭石来保持湿度,基质表面应经常保持湿润。

基质温度:23℃,高于25℃,可影响正常发芽,低于22℃会降低发芽率,影响发芽的整齐度。

基质EC:0.75-1.0。高的EC值会抑制生根。

光照:光对发芽无重大影响。

第2阶段

当根长度为0.64-1.27厘米时,天竺葵需大量氧气。让基质保持可以增加氧气获取量和促进生根过程。

外观特征:第2阶段来,根长1.27-2.54厘米,第一片真叶开始生长。如果须根不多,减少水份,降低温度至18℃。提高含钙量。

湿度:让基质干燥一点,使颜色从黑色到淡褐色。

基质温度:21°-24℃

化肥:轮流施用50-75ppm的钙肥(13-2-13-6Ca-3Mg)和销酸钾(15-5-15)。磷肥不应超过5-7pm,天竺葵对氨敏感,氨肥不应超过10ppm,否则将会导致叶片的增长。

EC值:1.0-1.5

光照:为提早花期,应给予16-8小时3500-4500lux的额外光照。对Multibloom系列无此必要。

----第3阶段

注意:幼苗芽的生长,高氨肥和湿度会导致徒长。

外观特征:第3阶段末,根长3.81-5.08厘米,幼苗长2.54厘米,出现2片真叶。

水份:每天使基质干湿一次,增强获得氧气的能力。饱和超过36小时可降低幼苗的活性,不应让幼苗过干。

基质温度:65°-70°F(18℃-21℃)。

化肥:见第2阶段,如果徒长,停止施用氨肥,减少化肥的施用次数。

EC值:1.5-2.0

光照:增加为4500-6000lux的光照,但不超过35,000lux。

第4阶段

植株的生长协调是受光照,温度、浇水的控制。

外观特征:第4阶段末,根系能稳固地支持植株。

水份:见第3阶段

基质温度:62°F-65°F(16℃-8℃)。

化肥:见第3阶段,如果植株细弱,加施钙肥,来协调苗株的生长。

基质EC:见第3阶段

光照:如果自然光照弱,可提供额外光照。

空气:在高光照情况下,可施用1000ppm的二氧化碳,来提早花期。

生长调节:当出现3-5片真叶后,施用750ppm的Cyco-ce1。

生长期

注意:Multibloom系列的种植与其它天竺葵不同。

6-7周后Multibloom吐露花蕾。因此必须保持Mu1tib1o-om的快速生长,不应过度控制水和肥料的供应,否则Multibloom和其它系列别无两样。

基质:选择排气性好的基质,10-20%的渗透性。

基质pH:6.0-6.5,PH值低于5.5可导致钠、铁的锰中毒,低PH值的特征是有黄叶。

水份:对于Multibloom系列在两次浇水之间让基质稍干,其它系列在两次浇水之间稍稍润湿。过度干燥将使根系周围盐浓度提高,从而连续伤根毛。过度干汇:特征是底部叶于从红色变成黄色,根尖坏死。

肥料:施加200ppm氮肥。

EC值:1.5-2.o

温度:夜间60°-65°F(16-18℃),白天70°-75F(21℃-24℃)。出现花蕾后夜间温度的控制可调节开花时间。

额外光照:移植2-3周后进行光照,光照14-18小时;光照量为300-500footcandles(3000-5000l1ux)可提早开花期。大竺葵对光照敏感,光照越多开花越早且生长越快。

生长调节:出现3-5片真叶后,施用4-5次750ppm的cycocel可控制生长。注意:在花蕾出现后,不要施加cycoce1,后期施加ycocel可导致花型过分或造型不佳。

常见虫害:Thrips

来源:中国农业技术网

2011-2-16
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